郭益平
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罗豪甦
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潘晓明
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徐海清
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殷之文
无机材料学报
测试了采用熔体法通过使用异质同构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3籽晶生长出的Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3单晶的铁电、压电性能的温度稳定性,研究结果发现,<001>取向的PIN—PT单晶不但具有非常优越的铁电、压电性能,其室温电容率ε达5000左右,介电损耗因子tgδ-1％,k33值最大可达到95％,d33值最大可达到3000pC/N左右.而且具有很高的温度稳定性,即使测试温度超过150℃,k33值也只下降不到10％.研究结果表明,该晶体是继PMN-PT和PZN—PT单晶之后又一种非常具有发展前途的单晶.
关键词:
PIN-PT单晶
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dielectric
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piezoelectricity
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temperature stability
秦波
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谈国强
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苗鸿雁
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夏傲
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程蕾
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.10925
以氢氧化钾(KOH)和五氧化二铌(Nb2O5)为原料, 通过微波水热法在200℃下合成出具有不同晶相、形貌的铌酸钾粉体(KNbO3). 当KOH浓度在10~14mol/L时, 可以制备出纯相的KNbO3粉体. X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和透射电镜(TEM)分析可知, KOH浓度由10mol/L增大到15mol/L时, KNbO3粉体由斜方六面体变为正交相, 再转变为四方相, 对应的形貌也由金字塔状变为棒状, 再转变为立方状. 当KOH浓度增大到15mol/L时, 出现了Nb2O5杂相. 常压烧结制备了KNbO3陶瓷, 其介电常数达到302, 介电损耗为0.023, 压电常数达到80 pC/N, 平面机电耦合系数为0.17, 机械品质因数为70, 居里温度为420℃, 正交?四方相变温度为223℃.
关键词:
铌酸钾
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microwave-assisted hydrothermal synthesis
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piezoelectric
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dielectric
王评初
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孙士文
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潘晓明
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朱丽慧
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李东林
,
温保松
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黄清伟
,
殷之文
无机材料学报
用定向凝固技术制备了择优方向为[112]的0.70Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.30PbTiO3高性能定向压电陶瓷.该陶瓷[112]方向的取向度约为35％,准静态压电常数d33约为1500-1600pC/N,耦合系数kt～0.51,k33～0.82,22kV/cm时的场致应变约为0.23％.
关键词:
定向陶瓷
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Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3
,
dielectric
徐超祥
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罗来慧
人工晶体学报
以<001>取向的PMN-0.14PT,PMN-0.17PT,PMN-0.28PT为代表,研究了PT含量对PMN-xPT单晶电卡效应的影响.通过测试单晶的变温电滞回线,计算了PMN-0.14PT,PMN-0.17PT,PMN-0.28PT的电卡效应.计算结果显示PMN-0.14PT,PMN-0.17PT,PMN-0.28PT单晶的电卡效应最大值随着PT含量的增加而增加,在较小的4 kV/mm电场情况下,分别达到1K,1.17K,1.96 K.此外,电卡效应峰发生在居里温度介电峰附近,随着PT含量的增加,电卡效应峰越来越尖锐并移向高温方向.
关键词:
PMN-PT
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铁电
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电卡效应
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介电
